模块
功率连接端子设置与国际主流产品兼容。
带PinFin的直接水冷设计，强散热高功率密度，DFMA设计。
高可靠性陶瓷和基板材料配置，满足汽车级可靠性需求
优化的回路设计，减小杂感和杂散参数不均，
降低半导体器件工作的电磁应力
-
面向轻量级电动汽车电驱应用的紧凑型、高可靠IGBT模块
SP400R650S1M2H1D2电压/电流等级： 650V/400A最大工作室温： 150℃杂散电感： 7nH冷却方式： 带PinFin直接水冷/间接冷却基板材料： 高性能铜基板/高可靠AlSiC基板基板尺寸： 152 x 72mm可靠性标准： AQG324 -
面向中大功率电动汽车电驱应用的高可靠IGBT模块
SP600R650D1M1F3D2电压/电流等级： 650V/600A最大工作室温： 150℃杂散电感： 8nH冷却方式： 带PinFin直接水冷基板材料： 高性能铜基板/高可靠AlSiC基板基板尺寸： 152 x 92mm可靠性标准： AQG324 -
面向大功率电动汽车高压电驱应用的高可靠IGBT模块
SP450R1200D1M2F4D2电压/电流等级： 1200V/450A最大工作室温： 175℃杂散电感： 8nH冷却方式： 带PinFin直接水冷基板材料： 高性能铜基板基板尺寸： 152 x 92mm可靠性标准： AQG324 -
面向轻量级电动汽车电驱应用的紧凑型、高可靠1200V SiC MOSFET模块
SP800R1200D1R400D2电压/电流等级： 1200V/800A最大工作室温： 175℃杂散电感： 8nH冷却方式： 带Pin-Fin直接水冷基板材料： 纯铜基底 & Si3N4氮化硅基板基板尺寸： 152 x 92mm可靠性标准： AQG324 -
面向轻量级电动汽车电驱应用的紧凑型、高可靠750V SiC MOSFET模块
SP1000R750D1R400E2电压/电流等级： 750V/1000A最大工作室温： 175℃杂散电感： 8nH冷却方式： 带Pin-Fin直接水冷基板材料： 高可靠的 AlSiC 基板基板尺寸： 152 x 92mm可靠性标准： AQG324 -
面向光伏领域高可靠性大功率IGBT模块
HB600R1200E1M2M2D2电压/电流等级： 1200V/750A最大工作室温： 175℃杂散电感： 20nH冷却方式： 间接冷却基板材料： 高性能铜基板基板尺寸： 122 x 62mm可靠性标准： AQG324
